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SMT貼片 LED工藝知識
發布日期：2018-09-11 作者：未知 點擊：1188
目前，LED芯片技術的發展關鍵在于基底材料和晶圓生長技術。基底材料除了傳統的藍寶石材料、硅(Si)、碳化硅(SiC)以外，氧化鋅(ZnO)和氮化鎵(GaN)等也是當前研究的焦點。無論是重點照明和整體照明的大功率芯片，還是用于裝飾照明和一些簡單輔助照明的小功率芯片，技術提升的關鍵均圍繞如何研發出更高效率、更穩定的芯片。因此，提高LED芯片的效率成為提升LED照明整體技術指標的關鍵。
在短短數年內，借助芯片結構、表面粗化、多量子阱結構設計等一系列技術的改進，LED在發光效率出現重大突破，LED芯片結構的發展如圖1所示。相信隨著該技術的不斷成熟，LED量子效率將會得到進一步的提高，LED芯片的發光效率也會隨之攀升。
薄膜芯片技術是生產超亮LED芯片的關鍵技術，可以減少側向的出光損失，通過底部反射面可以使得超過97%的光從正面輸出(圖2)，不僅大大提高LED發光效率，也簡易透鏡的設計。
在短短數年內，借助芯片結構、表面粗化、多量子阱結構設計等一系列技術的改進，LED在發光效率出現重大突破，LED芯片結構的發展如圖1所示。相信隨著該技術的不斷成熟，LED量子效率將會得到進一步的提高，LED芯片的發光效率也會隨之攀升。
薄膜芯片技術是生產超亮LED芯片的關鍵技術，可以減少側向的出光損失，通過底部反射面可以使得超過97%的光從正面輸出(圖2)，不僅大大提高LED發光效率，也簡易透鏡的設計。
